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安森美半导体 (onsemi) 致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业及医疗应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，一套强有力的守法和道德规范计划，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。
IGBT类型：FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)：600V
集电极电流(Ic)：120A
功率(Pd)：600W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)：2.5V@15V,60A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)：189nC
输入电容(Cies@Vce)： -
开启延迟时间(Td(on))： 18ns
关断延迟时间(Td(off))：104ns
导通损耗(Eon)：1.26mJ
关断损耗(Eoff)：0.45mJ
反向恢复时间(Trr)：39ns
工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)