CRG40T120AK3S
公司以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础，面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台，并可提供高可靠性功率器件、模块等产品和应用方案。公司开发的低压、中压和高压功率器件产品，可广泛应用于电动车、太阳能，汽车电子、手机快充、白色家电、通用开关、电源等行业。
IGBT类型： -
集射极击穿电压(Vces)： 1.2kV
集电极电流(Ic) ：80A
功率(Pd)： 333W
正向压降(Vf@If)： 2.4V@20A
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)： 1.9V@10A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) ：6V@250uA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge) ：208nC@40A,15V
输入电容(Cies@Vce) ：6.618nF@25V
开启延迟时间(Td(on))： 77ns
关断延迟时间(Td(off)) ：238ns
导通损耗(Eon)：2.8mJ
关断损耗(Eoff)：1.5mJ
反向恢复时间(Trr)：80ns
工作温度：-